Значення та функція джерела бору
Джерело бору відноситься до джерела елемента бору для напівпровідникових матеріалів. Бор, як важливий легуючий елемент у напівпровідникових матеріалах, може змінювати провідність напівпровідникових матеріалів, покращувати рухливість електронів і таким чином оптимізувати роботу напівпровідникових пристроїв. У процесі виробництва напівпровідників якість і чистота джерела бору безпосередньо впливають на якість напівпровідникової продукції.
Застосування джерела бору в напівпровідниках
У процесі виробництва напівпровідників джерело бору зазвичай існує у формі таких сполук, як борна кислота, боран і борний ефір. Ці сполуки бору відіграють ключову роль на різних етапах процесу виробництва напівпровідників, таких як очищення, легування та іонна імплантація. Наприклад, у процесі очищення джерело бору може видалити органічні забруднювачі та іони металів на поверхні напівпровідника; в процесі легування джерело бору може змінити тип провідності напівпровідника; у процесі іонної імплантації джерело бору може покращити стабільність іонного пучка.
Розвиток моєї країни в галузі виробництва напівпровідникового бору
Сьогодні Китай досяг чудових результатів у дослідженні та виробництві напівпровідникового джерела бору. В останні роки китайське виробництво напівпровідників зростає, а попит на джерела бору зростає. Для того, щоб задовольнити попит внутрішнього ринку, китайські підприємства та науково-дослідні установи розширили свої дослідження щодо вихідних матеріалів бору та постійно покращували чистоту та продуктивність джерел бору.
Упаковка та транспортування джерела напівпровідника бору

Упаковка товару відповідає «Технічним умовам» або галузевим стандартам;
Упаковка Semiconductor Boron Source відповідає характеристикам і характеристикам самого продукту, у тому числі достатньому для захисту продукту від вологи, дощу, іржі, корозії та ударів, і може допускати багаторазове транспортування, завантаження та розвантаження та транспортування;

Продуктовий процес і виробничий процес
Процес виробництва Semiconductor Boron Source включає такі ключові етапи, як вибір сировини, підготовка порошку нітриду бору, формування, спікання, а також подальша обробка та тестування. Кожна стадія вимагає суворого контролю параметрів процесу та робочих умов для забезпечення якості та ефективності кінцевого продукту. З розвитком науки і техніки та безперервною оптимізацією процесів процес виробництва кераміки з нітриду бору буде продовжувати вдосконалюватися та вдосконалюватися, щоб забезпечити кращу матеріальну підтримку для розвитку різних галузей промисловості.
Параметри продуктивності
|
хімічні компоненти BN% |
% |
99 |
|
Інші інгредієнти |
немає |
|
|
щільність |
г/см3 |
>2 |
|
Твердість по Леібу |
HL |
300 |
|
Міцність на вигин |
МПа |
35 |
|
Коефіцієнт теплового розширення (25 градусів -1200 градусів ) |
(10-6/K) |
-1~2.5 |
|
Теплопровідність (кімнатна температура) |
Вт/мк |
50 |
|
Робоча температура |
ступінь |
Вище 2000 градусів (вакуумний або газовий захист) |
|
Питомий опір кімнатної температури |
Ω. см |
>1014 |
Популярні Мітки: напівпровідникове джерело бору, виробники, постачальники, фабрика напівпровідникових джерел бору в Китаї






